B1000S1500, 1.5A, 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Gehäuse: SMD. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Menge pro Karton: 4. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Teilung: 5.2mm. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:33