Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 100V, SOT23 - BSS123

N-Kanal-Transistor, 100V, SOT23 - BSS123
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3 - 4 1.19€ 1.43€
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N-Kanal-Transistor, 100V, SOT23 - BSS123. N-Kanal-Transistor, 100V, SOT23. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Gehäuse: SOT23. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 150mA. Rds on (max) @ id, vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Gate/Source-Spannung Vgs max: ±20V. Betriebstemperatur: 150°C. Montageart: SMD. MSL: 1. Originalprodukt vom Hersteller Nexperia. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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BSS123-ONS

BSS123-ONS

N-Kanal-Transistor, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°...
BSS123-ONS
N-Kanal-Transistor, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 680mA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Modus zur Verbesserung des Feldeffekttransistor-Logikpegels. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V
BSS123-ONS
N-Kanal-Transistor, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 680mA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Modus zur Verbesserung des Feldeffekttransistor-Logikpegels. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V
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