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BT151-650R
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BT151-650R. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 7.5A. Es ist M: 100A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-78 ( TO220AB ). Gehäuse: TO-220. IT(AV): 7.5A. IT(RSM) (TC=85°C): 12A. Igm[A]: 15mA. Igt (Typ): 2mA. Igt (max): 15mA. Ih (Typ): 7mA. Ih (max): 20mA. Komponentenfamilie: Thyristor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +125°C.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Produktionsdatum: 2014/45. RoHS: ja. Spec info: F-Thyristor 2us. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 650V. Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]: 132A. Temperatur: +125°C. Tgt: 2us. Tq: 70us. VDRM: 650V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 12/12/2025, 16:33
BT151-650R
28 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.
7.5A
Es ist M
100A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-78 ( TO220AB )
Gehäuse
TO-220
IT(AV)
7.5A
IT(RSM) (TC=85°C)
12A
Igm[A]
15mA
Igt (Typ)
2mA
Igt (max)
15mA
Ih (Typ)
7mA
Ih (max)
20mA
Komponentenfamilie
Thyristor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+125°C.
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Produktionsdatum
2014/45
RoHS
ja
Spec info
F-Thyristor 2us
Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]
650V
Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]
132A
Temperatur
+125°C
Tgt
2us
Tq
70us
VDRM
650V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors