Diode 1N4148, DO-35 ( SOD27 ), 75V, 0.2A, 200mA, 0.3A, 500mA, DO-35

Diode 1N4148, DO-35 ( SOD27 ), 75V, 0.2A, 200mA, 0.3A, 500mA, DO-35

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0.0207€
500-999
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Diode 1N4148, DO-35 ( SOD27 ), 75V, 0.2A, 200mA, 0.3A, 500mA, DO-35. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 75V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. Vorwärtsstrom [A]: 0.3A. IFSM: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Anderer Name: IN4148. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Cj: 4pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Schaltdiode. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 0.01A. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Halbleitertyp: Diode. Herstellerkennzeichnung: 1N4148. Ifsm [A]: 2A. Information: -. Kapazität: 4pF. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Siliziumdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..5uA. Leistung: 0.5W. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1V. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. MSL: -. Max Rückspannung: 75V. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 1A. Reaktionszeit: 4ns. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 4ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 5uA / 75V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Schwellenspannung: 1V. Serie: 1N4148. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Strom fahren: 200mA. Trr-Diode (Min.): 4 ns. [V]: 1V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Div. Mindestmenge: 25. Bestandsmenge aktualisiert am 23/11/2025, 12:29

Technische Dokumentation (PDF)
1N4148
52 Parameter
Gehäuse
DO-35 ( SOD27 )
VRRM
75V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
0.2A
Vorwärtsstrom (AV)
200mA
Vorwärtsstrom [A]
0.3A
IFSM
500mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-35
Anderer Name
IN4148
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+200°C
Cj
4pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Schaltdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.0V / 0.01A
Durchlassspannung Vf (min)
1V
Funktion
Hochgeschwindigkeitsdioden
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Halbleitertyp
Diode
Herstellerkennzeichnung
1N4148
Ifsm [A]
2A
Kapazität
4pF
Komponentenfamilie
Kleinsignal-Siliziumdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
25nA..5uA
Leistung
0.5W
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1V
MRT (maximal)
50uA
MRT (min)
25nA
Max Rückspannung
75V
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
1A
Reaktionszeit
4ns
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
4ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
5uA / 75V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
4 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
100V
Schwellenspannung Vf (max)
1V
Schwellenspannung
1V
Serie
1N4148
Spec info
Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
Strom fahren
200mA
Trr-Diode (Min.)
4 ns
[V]
1V @ 10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Div
Mindestmenge
25

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für 1N4148