Diode 1N4149TR, DO-35, 0.5A. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom [A]: 0.5A. Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 4A. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Siliziumdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..50uA. Maximale Temperatur: +175°C.. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. [V]: 1V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi (fairchild). Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:12