Diode 1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V

Diode 1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V

Menge
Stückpreis
25-49
0.0232€
50-99
0.0188€
100-499
0.0160€
500-999
0.0129€
1000+
0.0118€
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Diode 1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 75V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Diodentyp: Schaltdiode. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Eigenschaften des Halbleiters: Super schnelles Schalten. Funktion: Ultraschnelle Schaltdiode, Ifsm 1us 2A. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Halbleitertyp: Diode. Leistung: 0.5W. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1V. MRT (maximal): 50nA. Max Rückspannung: 75V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pulsstrom max.: 2A. Reaktionszeit: 4ns. RoHS: ja. Strom fahren: 0.5A. Trr-Diode (Min.): 2 ns. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 25. Bestandsmenge aktualisiert am 12/12/2025, 03:22

Technische Dokumentation (PDF)
1N4151
27 Parameter
Gehäuse
DO-35 ( SOD27 )
Vorwärtsstrom (AV)
0.2A
IFSM
2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-35
VRRM
75V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+200°C
Diodentyp
Schaltdiode
Durchlassspannung Vf (min)
1V
Eigenschaften des Halbleiters
Super schnelles Schalten
Funktion
Ultraschnelle Schaltdiode, Ifsm 1us 2A
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Halbleitertyp
Diode
Leistung
0.5W
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1V
MRT (maximal)
50nA
Max Rückspannung
75V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pulsstrom max.
2A
Reaktionszeit
4ns
RoHS
ja
Strom fahren
0.5A
Trr-Diode (Min.)
2 ns
Verpackung
Ammo Pack
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
25

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