Diode BAS16, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 0.215A, 215mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.215A. Vorwärtsstrom (AV): 215mA. IFSM: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Cj: 1.5pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Switching. Durchlassspannung (max.): <1.25V / 0.15A. Durchlassspannung Vf (min): 715mV. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschaltdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6W. MRT (maximal): 0.5uA. MRT (min): 30nA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 6ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 1uA / 75V. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Serie: BAS. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Trr-Diode (Min.): 4 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01