Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0379€
50-99
0.0335€
100-499
0.0294€
500+
0.0214€
+12380 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 1957
Minimum: 10

Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Cj: 5pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Funktion: Hochspannungsschaltdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code JS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: JS. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 0.1uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01

Technische Dokumentation (PDF)
BAS21
24 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
200mA
IFSM
625mA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
250V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Cj
5pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1V
Funktion
Hochspannungsschaltdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code JS
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
JS
MRT (maximal)
100uA
MRT (min)
0.1uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.25V
Spec info
IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A
Trr-Diode (Min.)
50 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors
Mindestmenge
10