Diode BAS385, MICROMELF, 0.2A. Gehäuse: MICROMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 5A. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Diode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 2.3uA. Maximale Temperatur: +150°C.. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. [V]: 0.4V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (general Semiconductor). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:57