Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

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Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 10pF. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. Halbleitermaterial: Sb. Ifsm [A]: 0.6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L44 oder V4. Komponentenfamilie: Doppel-Schottky-Diode, SMD-Montage. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 2uA. MRT (maximal): 2uA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Trr-Diode (Min.): 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:18

Technische Dokumentation (PDF)
BAT54S-215
32 Parameter
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Vorwärtsstrom (AV)
200mA
Vorwärtsstrom [A]
0.2A
IFSM
600mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
30 v
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
10pF
Dielektrische Struktur
Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt)
Durchlassspannung Vf (min)
240mV
Funktion
Doppelte Schottky-Diode
Halbleitermaterial
Sb
Ifsm [A]
0.6A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
L44 oder V4
Komponentenfamilie
Doppel-Schottky-Diode, SMD-Montage
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
2uA
MRT (maximal)
2uA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
5 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
30 v
Schwellenspannung Vf (max)
800mV
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Trr-Diode (Min.)
5 ns
[V]
0.4V @ 10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors
Mindestmenge
10