| Veraltetes Produkt, wird bald aus dem Katalog entfernt. Letzte verfügbare Artikel | |
| Menge auf Lager: 50 |
Diode BAT86-133, 0.2A, 5A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 1.6x3.04 ), 50V
Menge
Stückpreis
1-4
0.21€
5-49
0.18€
50-99
0.16€
100-299
0.14€
300+
0.12€
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 9185 |
Diode BAT86-133, 0.2A, 5A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 1.6x3.04 ), 50V. Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Cj: 8pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 300mV. Funktion: Schottky-Diode. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 5uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 900mV. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:18
BAT86-133
21 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
0.2A
IFSM
5A
Gehäuse
DO-34 ( SOD68 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-34 ( 1.6x3.04 )
VRRM
50V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+125°C
Cj
8pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
300mV
Funktion
Schottky-Diode
Halbleitermaterial
Sb
Hinweis
Schaltende Schottky-Diode
MRT (maximal)
5uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
900mV
Spec info
IFSM--5Ap t=10ms
Trr-Diode (Min.)
4 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors