Diode BAV70, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 0.215A, 450mA, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Vorwärtsstrom (AV): 215mA. Vorwärtsstrom [A]: 0.215A. IFSM: 450mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 1.5pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Diodentyp: Schaltdiode. Durchlassspannung Vf (min): 715mV. Eigenschaften des Halbleiters: Super schnelles Schalten. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleitertyp: Diode. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A4p_A4t_A4w. Ifsm [A]: 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A4W. Komponentenfamilie: Duale Kleinsignaldiode, Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 150nA..50uA. Leistung: 350mW. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.25V. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 30nA. Max Rückspannung: 100V, 70V. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pulsstrom max.: 2A. Reaktionszeit: 4ns, 6ns. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 70V. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Schwellenspannung: 1V. Spec info: Ifsm--4A t=1us, 1A t=1ms. Trr-Diode (Min.): 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:15