Diode BAV99, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 500A, 0.12A, 0.215A, SOT-23 ( TO236 ), 70V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Vorwärtsstrom (AV): 215mA. IFSM: 500A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.12A. Vorwärtsstrom [A]: 0.215A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 70V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Diodentyp: Schaltdiode. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 0.05A. Durchlassspannung Vf (min): 750mV. Eigenschaften des Halbleiters: Super schnelles Schalten. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: 2 Dioden, die in Reihe verbunden sind. Halbleitertyp: Diode. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Ifsm [A]: 2A. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A7w. Komponentenfamilie: Duale Kleinsignaldiode, Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 30nA..50uA. Leistung: 350mW. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.25V. Max Rückspannung: 85V. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pulsstrom max.: 2A. Reaktionszeit: 4ns. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 4ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 30nA / 25V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 85V. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Serie: BAV. Spec info: IFSM--t=1.0us 2A, t=1.0ms 1A. Strom fahren: 0.3A. Temperatur: +150°C. Trr-Diode (Min.): 6us. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Nexperia. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:15