Diode BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Diodentyp: Schaltdiode. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. Eigenschaften des Halbleiters: Super schnelles Schalten. Funktion: Ultra High Speed Switching. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleitertyp: Diode. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A1s. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1s. Leistung: 350mW. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.25V. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Max Rückspannung: 70V, 85V. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pulsstrom max.: 2A. Reaktionszeit: 4ns, 6ns. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Schwellenspannung: 1V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatur: +150°C. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01