Diode BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm )

Diode BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm )

Menge
Stückpreis
5-49
0.11€
50-99
0.0949€
100-199
0.0858€
200+
0.0698€
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Diode BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm ). Gehäuse: DO-27. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 800V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Vorwärtsstrom [A]: 3A. IFSM: 200A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.5x5.6mm ). Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 65pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1.2V / 3A. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Eigenschaften des Halbleiters: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Ifsm [A]: 110A. Information: -. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr&lt;500ns). Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.3V. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. MSL: -. Max Rückspannung: 800V. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 100A. Reaktionszeit: 500ns. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 500ns. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 500 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 800V. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Schwellenspannung: 1.3V, 1.25V. Serie: BY399. Spec info: 200Ap. Strom fahren: 3A. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Verpackung: Ammo Pack. [V]: 1.2V @ 3A. Originalprodukt vom Hersteller: Dc Components Co. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:24

Technische Dokumentation (PDF)
BY399
49 Parameter
Gehäuse
DO-27
VRRM
800V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
3A
Vorwärtsstrom (AV)
3A
Vorwärtsstrom [A]
3A
IFSM
200A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-27 ( 9.5x5.6mm )
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
65pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.2V / 3A
Durchlassspannung Vf (min)
1.3V
Eigenschaften des Halbleiters
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Ifsm [A]
110A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr&lt;500ns)
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.3V
MRT (maximal)
150uA
MRT (min)
10uA
Max Rückspannung
800V
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
100A
Reaktionszeit
500ns
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
500ns
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
500 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
800V
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Schwellenspannung
1.3V, 1.25V
Serie
BY399
Spec info
200Ap
Strom fahren
3A
Trr-Diode (Min.)
500 ns
Verpackung
Ammo Pack
[V]
1.2V @ 3A
Originalprodukt vom Hersteller
Dc Components Co
Mindestmenge
5