Diode DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V

Diode DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
2.69€
5-9
2.40€
10-24
2.16€
25-49
1.96€
50+
1.62€
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Diode DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AC. Vorwärtsstrom [A]: 14A. Vorwärtsstrom (AV): 14A. IFSM: 100A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 100A. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 50uA..3mA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 600V. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Spec info: 100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 35 ns. [V]: 1.7V @ 16A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI12-06A
33 Parameter
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AC
Vorwärtsstrom [A]
14A
Vorwärtsstrom (AV)
14A
IFSM
100A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AC
VRRM
600V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.5V
Funktion
„Schnelle Wiederherstellung“
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
100A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
50uA..3mA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
62W
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
50 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
600V
Schwellenspannung Vf (max)
1.7V
Spec info
100Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode“
Trr-Diode (Min.)
35 ns
[V]
1.7V @ 16A
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS