Diode DSEI30-10A, TO-247, TO-247AD, 30A, 37A, 375A, TO-247AD, 1000V

Diode DSEI30-10A, TO-247, TO-247AD, 30A, 37A, 375A, TO-247AD, 1000V

Menge
Stückpreis
1-4
5.96€
5-14
5.29€
15-29
4.86€
30-59
4.53€
60+
4.02€
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Diode DSEI30-10A, TO-247, TO-247AD, 30A, 37A, 375A, TO-247AD, 1000V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AD. Vorwärtsstrom [A]: 30A. Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 2V. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 210A. Komponentenfamilie: Silizium-Gleichrichterdiode. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.75mA..7mA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 138W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 35 ns. [V]: 2.4V @ 36A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI30-10A
33 Parameter
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AD
Vorwärtsstrom [A]
30A
Vorwärtsstrom (AV)
37A
IFSM
375A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AD
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
2V
Funktion
„Schnelle Wiederherstellung“
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
210A
Komponentenfamilie
Silizium-Gleichrichterdiode
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
0.75mA..7mA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
138W
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
50 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1 kV
Schwellenspannung Vf (max)
2.4V
Spec info
375Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode“
Trr-Diode (Min.)
35 ns
[V]
2.4V @ 36A
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS