Diode DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

Diode DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

Menge
Stückpreis
1-4
5.72€
5-14
5.06€
15-29
4.59€
30-59
4.26€
60+
3.74€
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Diode DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AD. Vorwärtsstrom [A]: 26A. Vorwärtsstrom (AV): 28A. IFSM: 200A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 2.2V. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 210A. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.75mA..7mA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 138W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 60 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1.2 kV. Schwellenspannung Vf (max): 2.55V. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 40 ns. [V]: 2.55V @ 30A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI30-12A
33 Parameter
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AD
Vorwärtsstrom [A]
26A
Vorwärtsstrom (AV)
28A
IFSM
200A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AD
VRRM
1200V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
2.2V
Funktion
„Schnelle Wiederherstellung“
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
210A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
0.75mA..7mA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
138W
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
60 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1.2 kV
Schwellenspannung Vf (max)
2.55V
Spec info
375Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode“
Trr-Diode (Min.)
40 ns
[V]
2.55V @ 30A
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS