Diode MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V

Diode MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
1.77€
5-49
1.47€
50-99
1.35€
100+
1.19€
Gleichwertigkeit vorhanden
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Diode MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 0.2mA. MRT (min): 0.2mA. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 0.99V. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43

Technische Dokumentation (PDF)
MBR10200CT
19 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
10A
IFSM
60.4k Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AC-3P
VRRM
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Dielektrische Struktur
gemeinsame Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
0.87V
Funktion
Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode
Halbleitermaterial
Sb
MRT (maximal)
0.2mA
MRT (min)
0.2mA
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
0.99V
Spec info
Ifsm 120A (t=8.3ms)
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor

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