Diode MBR2545CT, TO-220, 15A, TO-220AB, 45V, 12.5A, 2x15A, TO-220AB

Diode MBR2545CT, TO-220, 15A, TO-220AB, 45V, 12.5A, 2x15A, TO-220AB

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Diode MBR2545CT, TO-220, 15A, TO-220AB, 45V, 12.5A, 2x15A, TO-220AB. Gehäuse: TO-220. Vorwärtsstrom (AV): 15A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. VRRM: 45V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 12.5A. Vorwärtsstrom [A]: 2x15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Anzahl der Terminals: 3. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Diodentyp: Schottky. Durchlassspannung (max.): <0.82V / 30A. Hinweis: 30A/150App. Ifsm [A]: 150A. Information: -. Komponentenfamilie: Dual Schottky Gleichrichterdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1mA..50mA. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 200uA / 45V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 45V. Serie: MBR25. [V]: 0.82V @ 15A. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43

Technische Dokumentation (PDF)
MBR2545CT
26 Parameter
Gehäuse
TO-220
Vorwärtsstrom (AV)
15A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
VRRM
45V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
12.5A
Vorwärtsstrom [A]
2x15A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Anzahl der Terminals
3
Dielektrische Struktur
gemeinsame Kathode
Diodentyp
Schottky
Durchlassspannung (max.)
<0.82V / 30A
Hinweis
30A/150App
Ifsm [A]
150A
Komponentenfamilie
Dual Schottky Gleichrichterdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
1mA..50mA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
200uA / 45V
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
45V
Serie
MBR25
[V]
0.82V @ 15A
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor