Diode MBR3100G, 3A, 80A, DO-201, DO-201 ( 9.5x5.0mm ), 100V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 0.69V. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B3100. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43