Diode MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Funktion: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: -. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Spec info: IFSM. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Äquivalente: MUR1100ERLG. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:35