Diode S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Vorwärtsstrom [A]: 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+155°C. Cj: 12pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1.1V / 1A. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Funktion: Allzweck-Gleichrichterdioden. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Hinweis: Gehäuse 4,6x2,7mm. Ifsm [A]: 32A. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1M. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Leckstrom: 5uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.1V. MSL: -. Max Rückspannung: 1kV. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pulsstrom max.: 30A. Reaktionszeit: 1.5us. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: <50uA / 1000V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Serie: S1. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Strom fahren: 6A. Trr-Diode (Min.): 1.8us. [V]: 1.1V @ 1A. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:14