Diode SS36-E3, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V

Diode SS36-E3, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.38€
5-49
0.32€
50-99
0.28€
100-199
0.24€
200+
0.19€
Menge auf Lager: 807

Diode SS36-E3, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Cj: -. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS36. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 500uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Trr-Diode (Min.): -. Äquivalente: SS36-E3/9AT. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:37

SS36-E3
21 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
3A
IFSM
100A
Gehäuse
DO-214
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm
VRRM
60V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
0.75V
Funktion
Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage
Halbleitermaterial
Sb
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
SS36
MRT (maximal)
10mA
MRT (min)
500uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
0.75V
Spec info
Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
Äquivalente
SS36-E3/9AT
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay