Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQP7N80

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FQP7N80. C(in): 1420pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 04:25.

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C(in): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Tr...
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C(in): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 27 nC, niedriger CrSS 10 pF. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 27 nC, niedriger CrSS 10 pF. G-S-Schutz: NINCS
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