GBI10J, 10A, 600V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Gehäuse: SIP / SIL. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. MRT (maximal): 5uA. Menge pro Karton: 4. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Äquivalente: KBJ10J. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 17:59