IRF510

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.01€	1.21€
5 - 9	0.96€	1.15€
10 - 24	0.91€	1.09€
25 - 49	0.86€	1.03€
50 - 99	0.84€	1.01€
100 - 178	0.81€	0.97€

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Set mit 1

IRF510. C(in): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

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