IRFP27N60KPBF

IRFP27N60KPBF. C(in): 4660pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 620 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.