IRFP31N50L

IRFP31N50L. C(in): 5000pF. Kosten): 553pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 124A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 460W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.