Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Integrierte Schaltkreise Operationsverstärker

LM258D

LM258D
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10 - 24 0.28€ 0.34€
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LM258D. Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Dualer Operationsverstärker mit geringer Leistung. Äquivalente: LM258DT, LM258DG, LM258DR, LM258DR2G. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

Technische Dokumentation

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Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Funktion: Dualer Operationsverstärker. Äquivalente: LM258N, LM258NG. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C
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Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Funktion: Dualer Operationsverstärker. Äquivalente: LM258N, LM258NG. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C
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