LMC6482AIN-NOPB

LMC6482AIN-NOPB

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LMC6482AIN-NOPB. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.54V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +85°C. RoHS: ja. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Stromaufnahme [mA]: 1.9mA. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: National Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:23

LMC6482AIN-NOPB
12 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
0.54V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Bandbreite [MHz]
1.3 MHz
Gehäuse
DIP8
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+85°C
RoHS
ja
Schaltungstyp
Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke
Stromaufnahme [mA]
1.9mA
Originalprodukt vom Hersteller
National Semiconductor