LMH6626MA-NOPB
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LMH6626MA-NOPB. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 350V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Bandbreite [MHz]: 1.5GHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Stromaufnahme [mA]: 80mA. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: National Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:59
LMH6626MA-NOPB
12 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
350V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Bandbreite [MHz]
1.5GHz
Gehäuse
SO8
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+125°C
RoHS
ja
Schaltungstyp
Dualer schneller Operationsverstärker
Stromaufnahme [mA]
80mA
Originalprodukt vom Hersteller
National Semiconductor