N-Kanal-Transistor 2N7002, SOT-23 ( TO-236 ), 60V, 60V, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 60V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.5 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 50pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 0.280A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 7 Ohms @ 0.05A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Funktion: Kleinsignal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -30V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: 72. IDss (min): 1uA. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 0.28A. Id(imp): 0.8A. Information: -. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 702. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 25pF. MSL: 1. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Polarität: MOSFET N. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): -. Rds on (max) @ id, vgs: 5 Ohms / 500mA / 10V. RoHS: ja. Serie: -. Spec info: 702. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31