N-Kanal-Transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

N-Kanal-Transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

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1-4
11.70€
5-9
10.83€
10-24
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N-Kanal-Transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2800pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kosten): 780pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:26

Technische Dokumentation (PDF)
2SK1170
26 Parameter
ID (T=25°C)
20A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.27 Ohms
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2800pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
N-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kosten)
780pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
120W
Spec info
High speed switching Low drive current
Td(off)
200 ns
Td(on)
32 ns
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
500 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Hitachi

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