N-Kanal-Transistor 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1400pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03