N-Kanal-Transistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3BP. Spannung Vds(max): 900V. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): -. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1461. Kosten): 300pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03