N-Kanal-Transistor 2SK1529, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 1mA. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 180V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: Hochleistungsverstärkeranwendung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): -. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1529. Kosten): 150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SJ200. Technologie: Feldeffekt-Silizium-N-Kanal-MOS-Typ. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03