N-Kanal-Transistor 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

N-Kanal-Transistor 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
3.93€
5-9
3.62€
10-24
3.38€
25-49
3.19€
50+
2.84€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 2

N-Kanal-Transistor 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 1mV. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI-LS. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 550pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 5.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Germaniumdiode: nein. IDss (min): -. Kanaltyp: N. Kosten): 150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2632LS
24 Parameter
ID (T=100°C)
1.3A
ID (T=25°C)
2.5A
IDSS (max)
1mV
Einschaltwiderstand Rds On
3.6 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FI-LS
Spannung Vds(max)
800V
C(in)
550pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Gate/Source-Spannung (aus) max.
5.5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
3.5V
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Germaniumdiode
nein
Kanaltyp
N
Kosten)
150pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
25W
Td(off)
45 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
V-MOS (F)
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo

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