N-Kanal-Transistor 2SK2640, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V

N-Kanal-Transistor 2SK2640, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V

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1-4
9.67€
5-9
8.96€
10-24
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25+
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N-Kanal-Transistor 2SK2640, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.73 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 950pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2640. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2640
30 Parameter
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
10A
IDSS (max)
200uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.73 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F15
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
950pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K2640
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
ja
Td(off)
70 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
FAP-IIS Series MOS-FET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
450 ns
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric

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