N-Kanal-Transistor 2SK2645, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100nA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 900pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10nA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2645. Kosten): 150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31