N-Kanal-Transistor 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
4.42€
5-24
4.10€
25-49
3.86€
50+
3.63€
Menge auf Lager: 26

N-Kanal-Transistor 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.78 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 900V. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 900pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2651
27 Parameter
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
6A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.78 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F15
Spannung Vds(max)
900V
Betriebstemperatur
-...+150°C
C(in)
900pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kosten)
130pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
Td(off)
70 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
FAP-IIS Series
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric