N-Kanal-Transistor 2SK2662, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.35 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 780pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: High Speed Switching, Zener-Protected. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2662. Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Feldeffekttransistor (TT-MOS V). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31