N-Kanal-Transistor 2SK2715TL, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V

N-Kanal-Transistor 2SK2715TL, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V

Menge
Stückpreis
1-4
1.48€
5-49
1.23€
50-99
1.04€
100+
0.92€
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N-Kanal-Transistor 2SK2715TL, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. ID (T=25°C): 2A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 2A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 280pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 6A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2715. Kosten): 58pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2715TL
27 Parameter
ID (T=25°C)
2A
IDSS
100uA
IDSS (max)
2A
Einschaltwiderstand Rds On
3 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
280pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
6A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K2715
Kosten)
58pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
20W
RoHS
ja
Td(off)
30 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
410 ns
Originalprodukt vom Hersteller
ROHM