N-Kanal-Transistor 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V
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Stückpreis
1-4
4.21€
5-9
3.73€
10-24
3.16€
25+
2.88€
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N-Kanal-Transistor 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 700V. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 1850pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): na. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kosten): 400pF. Leistung: 175W. Menge pro Karton: 1. Td(off): 140 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 2.5us. Originalprodukt vom Hersteller: Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31
2SK2828
25 Parameter
ID (T=25°C)
12A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.9 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
700V
Betriebstemperatur
-...+150°C
C(in)
1850pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung (aus) min.
2V
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
na
Id(imp)
48A
Kanaltyp
N
Kosten)
400pF
Leistung
175W
Menge pro Karton
1
Td(off)
140 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
N-Kanal-MOSFET-Transistor
Tf(min)
TO-3P ( TO3P )
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
2.5us
Originalprodukt vom Hersteller
Hitachi