N-Kanal-Transistor 2SK2968, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK2968, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
13.30€
5-9
12.32€
10-24
10.73€
25+
9.87€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 1

N-Kanal-Transistor 2SK2968, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.05 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2150pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: DC-DC-Wandler, Relais und Motorantrieb. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Technologie: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2968
24 Parameter
ID (T=25°C)
10A
IDSS (max)
10A
Einschaltwiderstand Rds On
1.05 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
2-16C1B
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
2150pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
DC-DC-Wandler, Relais und Motorantrieb
G-S-Schutz
ja
Id(imp)
30A
Kanaltyp
N
Kosten)
220pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Technologie
FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für 2SK2968