N-Kanal-Transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

N-Kanal-Transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.76€
5-24
0.61€
25-49
0.55€
50+
0.49€
Menge auf Lager: 140

N-Kanal-Transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( MTP3 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 160pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KE. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KE. Kosten): 85pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3065
30 Parameter
ID (T=100°C)
1.6A
ID (T=25°C)
2A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.32 Ohms
Gehäuse
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-89 ( MTP3 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
160pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code KE
Id(imp)
8A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
KE
Kosten)
85pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
RoHS
ja
Td(off)
120ns
Td(on)
20 ns
Technologie
MOS FET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
1.5V
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt vom Hersteller
ROHM