N-Kanal-Transistor 2SK3176, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V

N-Kanal-Transistor 2SK3176, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
7.38€
5-24
6.72€
25-49
6.18€
50+
5.75€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 42

N-Kanal-Transistor 2SK3176, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 5400pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltmodusregler, DC-DC-Wandler, Motortreiber. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kosten): 1900pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 190 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Feldeffekttransistor MOS-V. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3176
29 Parameter
ID (T=25°C)
30A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
38m Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
2-16C1B
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-...+150°C
C(in)
5400pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltmodusregler, DC-DC-Wandler, Motortreiber
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kosten)
1900pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Td(off)
190 ns
Td(on)
55 ns
Technologie
Feldeffekttransistor MOS-V
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
270 ns
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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