N-Kanal-Transistor 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-Kanal-Transistor 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
3.72€
5-9
3.26€
10-24
2.94€
25-49
2.75€
50+
2.45€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 59

N-Kanal-Transistor 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.35 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 550pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3563. Kosten): 70pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3563
27 Parameter
ID (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
5A
IDSS
100uA
IDSS (max)
5A
Einschaltwiderstand Rds On
1.35 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
550pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
ja
Id(imp)
20A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3563
Kosten)
70pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
35W
RoHS
ja
Td(off)
50 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1400 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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