N-Kanal-Transistor 2SK3564, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK3564, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
2.55€
5-24
2.21€
25-49
1.98€
50+
1.74€
Menge auf Lager: 58

N-Kanal-Transistor 2SK3564, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 9A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3564. Kosten): 75pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 850 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3564
30 Parameter
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
3A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
3.7 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
700pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
9A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3564
Kosten)
75pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Td(off)
125 ns
Td(on)
60 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
850 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba