N-Kanal-Transistor 2SK3565, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK3565, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
2.76€
5-9
2.41€
10-24
2.14€
25-49
1.97€
50+
1.75€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor 2SK3565, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1150pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 15A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3565. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 170 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 900ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3565
29 Parameter
ID (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
5A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
2 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
1150pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
15A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3565
Kosten)
100pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
45W
RoHS
ja
Td(off)
170 ns
Td(on)
70 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
900ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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